人工合成翡翠技术的研究始于上世纪60年代。1963年，贝尔(Bell)和罗茨勃姆发现翡翠是一种低温高压矿物，必须在高压条件下才能合成，至此开始了真正意义上的翡翠合成研究工作。80年代，我国吉林大学和中科院长春应用化学所、中科院贵阳地化所等单位也进行了合成翡翠的试验。
但由于实验条件和设备所限,难以实现硬玉由非晶质向晶质体的全面转化，同时，致色离子Cr3＋难以进入其晶格中，最终合成硬玉样品属非宝石级，仅为不等量的硬玉微晶和玻璃体的混合物。上世纪八十年代，美国的通用电气公司（GE）相继开始了合成翡翠的研究。2002年，GIA首次对GE宝石级合成翡翠作了简要的报导。现今选购翡翠饰品的人越来越多，但是人们对这类宝石级合成翡翠的特征了解甚少。
红外吸收光谱测试结果表明，GE合成翡翠显示一组（3373、3470、3614cm-1）与天然翡翠截然不同，且由羟基伸缩振动致红外吸收谱带。由此证实，GE合成翡翠内存在微量的水分子，是在高温高压和水的参与下结晶而成。据此可作为鉴别GE合成翡翠的重要证据。表明，GE合成翡翠中由νas（Si-O-Si）反对称伸缩振动致红外吸收强谱带主要出现在1089cm-1处，位1154cm-1处仅显示弱肩峰。反之天然翡翠中，由于钙、镁等杂质元素不等量替代铝，易导致νas（Si-O-Si）反对称伸缩振动致红外吸收谱带漂移；由1014、946、870cm-1组成的一组红外吸收谱带为νas（O-Si-O）反对称伸缩振动所致；由νs（Si-O-Si）对称伸缩振动致红外吸收谱带仅出现在752、670cm-1处；由δ（Si-O）弯曲振动致红外吸收中强谱带出现在602cm-1处；541、500cm-1处的红外吸收谱带属ν（MCr-O）伸缩振动所致，与天然翡翠中ν（MCr，Fe-O）伸缩振动致红外吸收谱带表现出的特征存在一定的差异。整体而言，在红外光谱指纹区内，GE合成翡翠和天然翡翠的红外主吸收谱带差异特征不甚明显。
在电子束的激发下，GE合成翡翠多发出很强的亮红色光，同时，与晶体生长环境相关的微晶CL结构得以显示。硬玉微晶局部呈平行定向排列或卷曲～微波状构造，由此而区别于天然翡翠。综上，依据GE合成翡翠表现的内部结构、由其羟基伸缩振动致一组特征的红外吸收谱带、贫铁富铬的可见吸收光谱及CL发光特征，有助于鉴别之。
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